买卖IC网 >> 产品目录 >> SI4455DY-T1-GE3 MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI4455DY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 150V 8.9A 5.9W 295mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 150 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 295 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI4455DY-T1-GE3
SI4456DY-T1-E3
SI4456DY-T1-GE3
SI4459ADY
SI4459ADY-T1-E3
SI4459ADY-T1-GE3
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  • SI4455DY-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,320 1.752 2312.64
    2,500 1.202 3005
    5,000 1.178 5890
    7,500 1.156 8670